eMRAM技术简介

半导体技术的发展历程可以追溯到上世纪40年代，自晶体管发明以来，集成电路的特征尺寸已经从微米级别进入纳米级别。随着摩尔定律的演进，晶体管先后经历了平面结构、Fin场效应晶体管（FinFET）和环绕式栅极晶体管(Gate-All-Around）等阶段，其密度、性能和能效不断提高。  

嵌入式存储是逻辑制程中不可或缺的一环。其中，嵌入式闪存（eFlash）作为一种主流的非易失性嵌入式存储技术，在40纳米及以上的成熟工艺中占据主导地位。然而，随着工艺节点的不断演进，eFlash通过浮栅吸附/脱附电子实现数据存储的物理机制限制了其微缩极限。业界普遍认为，28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术，如eMRAM和eRRAM等。  

新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层（BEOL），具备良好的前后段兼容性，可延展至28纳米及更先进工艺节点，且性能更具有竞争力，如下图。