HIKSTOR eMRAM产品特点

HIKSTOR嵌入式磁随机存储器（Embedded Magnetic Random Access Memory，简称eMRAM）是基于STT效应的第三代磁性随机存储技术，与第一代Toggle MRAM和第二代采用面内磁化磁隧道结（in-plane Magnetic Tunnel Junction,简称iMTJ）的MRAM相比，其采用了垂直磁化磁隧道结作为存储单元（perpendicular Magnetic Tunnel Junction,简称pMTJ），更具可拓展性，可实现更高的密度、更少的功耗、更低的成本。

HIKSTOR eMRAM相较传统嵌入式存储有着显著的性能优势：包括超快的写入速度 (约20ns)；极高的擦写次数 (高至10¹²)；极久的数据保持时间（20年85℃）；可在逻辑Vcc供电且无电荷泵的情况下进行写操作(写电压约2V，eFlash约10V)等。同时HIKSTOR eMRAM与逻辑工艺有着优良的兼容性，可延展至28纳米及以下先进工艺节点，且额外光罩数量仅3~5层。另外HIKSTOR eMRAM可根据不同需求进行个性化定制，来满足高性能、高可靠等一系列应用场景的需求，提供嵌入式解决方案。