HIKSTOR eMRAM工艺平台

驰拓科技eMRAM因其存储单元电路结构是由1个NMOS与1个MTJ单元组成，磁隧道结（MTJ）集成于后段2层金属层之间，可以兼容现有各CMOS晶圆厂的标准工艺制程。

驰拓科技eMRAM平台在90、40和28nm已实现产品量产，现具有多款eMRAM IP可供客户选择，另外可根据客户产品的需求进行eMRAM IP的定制。eMRAM IP的规格书和IP定制服务，欢迎联系驰拓科技市场/销售进行咨询。

驰拓科技的eMRAM平台提供多项目晶圆（Multiple Project Wafer，MPW）服务，可以满足客户验证产品的需求，为客户节省研发时间和成本。MPW时间表、预订MPW坐席，欢迎联系驰拓市场/销售进行咨询。